半導(dǎo)體是一種常溫下電導(dǎo)率在絕緣體至導(dǎo)體之間的物質(zhì)，也正是這種特殊的性質(zhì)，讓半導(dǎo)體成為現(xiàn)代工業(yè)以及科技產(chǎn)業(yè)中被重點(diǎn)關(guān)注的材料之一。如今的半導(dǎo)體，已經(jīng)被集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域所應(yīng)用，尤其是作為信息處理的器件材料被認(rèn)為是打開(kāi)“芯”時(shí)代的一把鑰匙。

　　隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng)，對(duì)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛，第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)“顯現(xiàn)”。

　　那么，你知道什么是第三代半導(dǎo)體嗎？

　　據(jù)悉，第一代半導(dǎo)體材料是硅；第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵，這是大部分4G通信設(shè)備的主要材料；

　　而第三代半導(dǎo)體材料是氮化鎵，這是一種充電器最基礎(chǔ)的材料。這三代半導(dǎo)體材料是促進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的主要原料，國(guó)內(nèi)大力支持它們的發(fā)展和普及。

　　近年來(lái)，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體開(kāi)始逐漸受到市場(chǎng)的重視，國(guó)際上已形成完整的覆蓋材料、器件、模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)已經(jīng)開(kāi)始。

　　國(guó)家計(jì)劃在2021年-2025年期間，把大力支持規(guī)劃，發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入正在制定的“十四五”規(guī)劃，并且將在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等各個(gè)領(lǐng)域大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體行業(yè)，目的是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的獨(dú)立自主。

　　發(fā)展第三代半導(dǎo)體較為重要

　　隨著我國(guó)電子產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品需求愈發(fā)迫切。龐大的需求量必然引發(fā)龐大的市場(chǎng)，所以我國(guó)目前已經(jīng)成為大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，且與半導(dǎo)體有關(guān)的產(chǎn)品的需求量增速也超越了平均水平。

　　據(jù)中國(guó)海關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年我國(guó)芯片的進(jìn)口金額為3040億美元，較去年同期減少80億美元，同比下降2.6%。國(guó)務(wù)院發(fā)布的相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)芯片自給率2019年僅為30%左右。

　　5G時(shí)代的來(lái)臨將促進(jìn)新基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，讓半導(dǎo)體行業(yè)等硬核科技成為布局重點(diǎn)。以5G網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ)的“新基建”將成為重點(diǎn)，且信息化建設(shè)是提高生產(chǎn)效能的動(dòng)力。而在未來(lái)的日子里，信息化的需求和應(yīng)用都將得到更為廣泛的重視，半導(dǎo)體行業(yè)也將如火如荼的發(fā)展，行業(yè)市場(chǎng)前景較好。

　　因此，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的獨(dú)立自主較為重要，我國(guó)發(fā)布了多個(gè)政策加碼半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。

　　迎政策紅利第三代半導(dǎo)體發(fā)展可期

　　第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)是我國(guó)重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)，是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)。

　　為加快推進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展，國(guó)家層面先后引發(fā)《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019版)》、《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》等鼓勵(lì)性、支持性政策。

　　詳細(xì)來(lái)講，2016年發(fā)布《“十三五”國(guó)家科技創(chuàng)新規(guī)劃》要求其發(fā)展先進(jìn)功能材料技術(shù)，重點(diǎn)是第三代半導(dǎo)體材料；

　　2019發(fā)布《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄》：關(guān)于半導(dǎo)體材料需要的氮化鎵單晶襯底、功率器件用氮化鎵外延片納入目錄；

　　2020發(fā)布《關(guān)于印發(fā)新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知》：在新一代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，結(jié)合行業(yè)特點(diǎn)推動(dòng)各類(lèi)創(chuàng)新平臺(tái)建設(shè)；第三代半導(dǎo)體企業(yè)可享受相關(guān)政策優(yōu)惠；

　　2021發(fā)布的《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)最目標(biāo)綱要》中：其集成電路領(lǐng)域包括設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等特色工藝突破，先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展。

　　此外，“十四五”，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃啟動(dòng)實(shí)施2021年“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)，第三代半導(dǎo)體是其重要內(nèi)容，未來(lái)發(fā)展可期。

　　結(jié)語(yǔ)：不難看出，近年來(lái)，我國(guó)發(fā)布的多個(gè)政策加碼第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，迎政策福利，第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)“一片藍(lán)海”。